您当前的位置: 都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号,可以设置相应的占空比,如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲,为电源周期的5%,脉冲幅值
都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号,可以设置相应的占空比,如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲,为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V,如果设置触发延迟角α为45度,只需将相位延迟参数设置为2.5ms,可以根据需要自己设置触发角,不同的电路可能还要设置相应的死区时间,即要留有一定裕度,防止误导通.
1、晶闸管触发电路的要求:①、触发脉冲信号应具有足够大的电压和电流一般要求触发电压幅度为4~10v. ②、触发电路不输出触发脉冲时触发电路因漏电流产生的漏电压应小于0.15~0.2v以避免误触发. ③、触发脉冲要有一定的宽度以保证晶
你说的很对,触发脉冲就是按着:A→ - C→ B→ - A→C→ - B→A这个顺序,两个两个的发出.按下图,即明显又好记:
在器件导通期间要求始终保持脉冲触发r 电力电子器件在器件有GTR、MOSFET和IGBT等等.
晶闸管由截止到导通在门极上所加的控制信号称为触发信号,它可以是直流信号、交流信号或者是脉冲信号,一般常用脉冲形式的触发信号.晶闸管对触发电路的基本要求是: (1)触发信号应有足够的功率,一般要求触发电压为4~10v,触发电流为几十到几百毫安. (2)触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,以便器件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过擎住电流而维持导通. (3)触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求. (4)具有抗干扰能力,不触发时,触发电路的输出电压(即漏电压)应小于0.15~0.2v.
当外加电压超过半导体器件的耐压时,电流将急剧增大,此时称为击穿,但如果将电流限制在一定数值内,半导体器件还不会损坏,当外加电压拆消后,半导体器件回复正常,这种限流击穿就是一次击穿.
你说描述的有点像射频电源,或者是直流充电电源,你可以去网上搜一下.
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号写在答题纸上.各小题4分) 1、一条35kV线路的参数为:r1=0.26Ω/km,L=20km;线路末端最大负荷Pmax=6MW,功率因数cos=0.95,最大负荷利用小时
晶闸管的触发是一个很关键的环节,根据器件不同,输入电源不同,触发脉冲不同,输出负载或者效果不同而不同;你可能指的是单向晶闸管-三相电源-触发方式采用脉冲(尖带峰窄)的方式;输出带一般阻感负载,用于全控整流目的;那么这时候你需要共阴极和共阳极各三个一组的晶闸管,触发方式采用光耦隔离同步触发,那么成对触发,每相触发一个,每组触发一个,相邻的两相的开关管触发的方式,有效触发角度大约1/3T;在这个范围里移相,结果会很明显.