全位错分解为扩展位错

扩展位错是一个缺陷体系,不是单纯的线缺陷和面缺陷.在fcc晶体中通过不同面上的位错扩展和在交线上的反应而生成面角位错.在hcp晶体中因为只有唯一的面,所以位错扩展的方式比较单纯.在bcc晶体中全位错分解的方式较多,在(112)面上都可以发生扩展.

一个全位错分解为两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错,成为扩展位错

你所说的半位错应该是指不全位错.全位错是指柏氏矢量是单位点阵矢量的整数倍的位错,不全位错是指柏氏矢量不是单位点阵矢量的整数倍的位错.例如面心立方中,在{111}晶面族上,a/2〈110〉是全位错,而a/6〈112〉,a/3〈111〉就是不全位错.前者是肖克莱不全位错,后者是弗兰克不全位错.面角位错是指带有两个不全位错和两片层错构成的位错组态.又称压杆位错.具体的形成是两个在不同面上的扩展位错在两面的交线处由各自在前端的两个不全位错发生反应所产生的位错,是纯刃型位错,是固定位错.

求这些位错的位错密度.(设单个位错的柏氏矢量为b) 多边形化后形成的亚晶界包含n个刃位错,亚晶间的取向差为 rad.①设多边形化前位错问无交互作用,问多边形化后释放了多少能量(以百分数表

1、晶体原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列,有固定熔点、各向异性.2、中间相两组元A 和B 组成合金时,除了形成以A 为基或以B 为基的固溶体外,还可能形成晶体结构与A,B 两组元均不相同的新相.由于它们在二元相图上

图中A是面心立方结构中的扩展位错,B是封闭的位错环,它的柏氏矢量和A左边的部分位错的相同.A和B都向左移动时,不改变其形状和尺寸,问位错扫过后滑移面两侧原子的移动方式是否相同? 悬赏

99.8%fe 和 0.2%c 的钢在 800℃时是什么相 图一 图二 Thompson 四面体及其记号 二、综合题(共4 题,全为必答题,共69 分)1 .在外力作用下,fcc 结构的晶体在(111) 晶面上沿 [110] 方向滑移,试回答下列问题:(20 分) (1 ) 若 晶体的滑移是由单位位错的运动引起的,写出该单位位错的柏氏矢量.(2 ) 若 此单位位错是纯刃型位错,写出位错线方向及在外力作用下滑移运动的方向.(3 ) 若 此单位位错是纯螺型位错在(111) 晶面上运动受阻后将交滑移到哪一个晶面上?(4 ) 若 此单位位错在(111) 晶面内可以分解为扩展位错

在CMOS电路中采用图(a)~(d)所示的扩展功能用法,试分析各图的逻辑功能,写出Y 1 ~Y 4 的逻辑表达式.已知电源电压V DD =10V,二极管的正向导通压降为0.7V. 悬赏: 0 答案豆 提问人: 匿

超点阵位错是针对超点阵晶体结构中的位错而言的.譬如一个a/2[110]位错在面心立方的FCC晶体中是一个全位错(单个a/2[110]位错切割FCC后不会造成原子错配),但是在面心立方的L12(＂2＂为下标)超结构中却只是一个部分位错单个a/2[110]位错在切割L12超结构后会形成APB(反相畴界),只有引入第二个同号的a/2[110]位错才能消除APB因此,两个同柏氏矢量的a/2[110]位错才构成L12结构中的全位错,这一对位错以及它们之间夹着的APB就统称为超点阵位错,它们也可以分别叫做超点阵位错.希望有助于理解~