您当前的位置: 层错与完整晶体边界就是肖克利位错,属于刃性位错,不能发生攀移.抽去半层密排面形成的是弗兰克不全位错,与抽出型层错联系的是不全位错通常称负弗兰克不全位错,而与插入型联系的是正弗兰克不全位错,是不可动位错.
用专业知识观察观察.在下结论.
形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错;肖克利不全位错是面心立方晶体沿着(111)晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是A层原子面,沿着1/6滑移到了原本是B层原子面所在的位置,就形成肖克利不全位错.
面心立方的晶体的肖克莱不完全位错与弗兰克不完全位错有 回答 2 3 晶体摘除后换人工晶体是终身的? 回答 2 4 摔伤人工晶体偏位意外伤害保险给报销吗? 回答 2 5 位错都有些什么特点呢? 回答 2 1
1、用柏氏矢量可以表示晶体滑移的方向和大小.位错运动导致晶体滑移时,柏氏矢量的方向即为滑移方向,柏氏矢量b的大小即滑移量大小,如fcc,矢量b=1/2<110>. 2、因为原子错配都小于一个原子间距,所以柏氏矢量可以认为是位错周围所有弹性变形的总和. 3、弹性能与b^2成正比,所以柏氏矢量的模代表位错强度.
弗兰克-里德位错源(Frank-Read source)机制是三种位错增殖机制之一.另外两种机制是:双交滑移增殖机制和攀移增殖机制.弗兰克-里德位错源是若某滑移面有一段刃型位错AB,两端被位错网节点钉住不能运动.在沿其垂直线方向外加剪切应力使位错沿滑移面运动,由于两端固定,所以只能使位错线弯曲.在应力作用下它经历由图中红线到黑线、蓝线、绿线再到黄线的过程,而产生出一个位错环,自身又回到黑线状态,如此循环不已,每周产生出一个新的位错环,从而实现位错增殖.使弗兰克-里德位错源启动的临界应力依赖于AB的长度(即钉扎点之间的距离)及此位错的线张力.
面心立方结构的晶体,其配位数是12.以某一原子为原点,离它最近的即第一近邻其有12个原子,其距离为√2/2a,a为晶格常数.
密排面抽取一层将形成:肖克利不全位错,弗兰克说WMA比MP3先进的讲法是站不住脚的,其实他们的原理是一样的,在高比率的,
你所说的半位错应该是指不全位错.全位错是指柏氏矢量是单位点阵矢量的整数倍的位错,不全位错是指柏氏矢量不是单位点阵矢量的整数倍的位错.例如面心立方中,在{111}晶面族上,a/2〈110〉是全位错,而a/6〈112〉,a/3〈111〉就是不全位错.前者是肖克莱不全位错,后者是弗兰克不全位错.面角位错是指带有两个不全位错和两片层错构成的位错组态.又称压杆位错.具体的形成是两个在不同面上的扩展位错在两面的交线处由各自在前端的两个不全位错发生反应所产生的位错,是纯刃型位错,是固定位错.
不全位错和部分位错其实是一样的,是不同的叫法,打个比方说,不全位错和部分位错的关系,其实就是土豆和马铃薯之间的关系.