位错的定义

在通常的晶体中都存在大量的位错,而这些位错的量就用位错密度来表示.位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度.位错密度的另一个定义是:穿过单位截面积的位错线数目,单位也是1/平方厘米 .

位错强化是置换或间隙固溶的异质原子以点状障碍物的形式,通过阻止位错的运动而起强化作用.

位错是材料中的一种点缺陷有刃位错和螺位错.

位错的半宽度由晶格错排能Elm(减小)和弹性畸变能Ed(增大)之间的竞争决定 共价键强方向性错排能占主导,位错的半宽度窄 金属键无方向性错排能影响弱,位错的半宽度宽

呵呵,楼上的也是学材料的啊~~材料科学基础和金属学都会有专门章节讲位错的,晶体学和物理化学不见的会有另外,固体物理也有一小部分讲位错的总之和金属有关的课程必讲位错~~和电镜有关的课程也会涉及位错~~

材料在变形时位错互相缠结在一起的“动作”称为位错缠结;缠结在一起的位错会形成类似于墙的“状态”,这种位错存在的状态就是位错墙;当许多位错墙围城一个个独立的、无位错的区域时,就形成了一个个的位错胞.

位错线必须是连续的,它或者起止于晶体表面(或晶界),或形成封闭回路(位错环),或者在结点处和其它位错相连.由于景深的关系,我们通常在高分辨或者使用双束条件获得的都是一段位错.

在简单立方结构中的位错,其 b 总是等于点阵矢量.实际晶体中根据柏氏矢量的不同,可把位错分为以下几种形 式:(1) b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”. (2) b等于单位点阵矢量的整数倍的为“全位错” (3) b 不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错”