肖克利不全位错产生的原因

形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错;肖克利不全位错是面心立方晶体沿着(111)晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是a层原子面,沿着1/6滑移到了原本是b层原子面所在的位置,就形成肖克利不全位错.

层错与完整晶体边界就是肖克利位错,属于刃性位错,不能发生攀移.抽去半层密排面形成的是弗兰克不全位错,与抽出型层错联系的是不全位错通常称负弗兰克不全位错,而与插入型联系的是正弗兰克不全位错,是不可动位错.

形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错;肖克利不全位错是面心立方晶体沿着(111)晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是A层原子面,沿着1/6滑移到了原本是B层原子面所在的位置,就形成肖克利不全位错.

密排面抽取一层将形成:肖克利不全位错,弗兰克说WMA比MP3先进的讲法是站不住脚的,其实他们的原理是一样的,在高比率的,

位错又可称为差排(英语:dislocation),在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷).从几何角度看,位错属于一种线缺陷,可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线,其存在对材料的物理性能,尤其是力学性能,具有极大的影响.“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托伏尔特拉(Vito Volterra)于1905年提出.理想位错主要有两种形式:刃位错(edge dislocations)和 螺旋位错(screw dislocations),是线缺陷.混合位错(mixed dislocations)兼有前面两者的特征.

在实际晶体中,位错线不能一段段孤立地存在,不能终止在晶体内部,而只能终止在晶体自由表面或晶界这样的内表面上.在晶体内部,位错线一定是封闭的:或形成一位错环,或结成三维的位错网络.设有一晶体,EFGH是其中一晶面,

[图文] 若面心立方晶体中有 的单位位错及 的不全位错,此二位错相遇产生位错反应.1)问此反应能否进行?为什么?2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的类型. 悬赏: 0 答案豆 提问人: 匿名网

在简单立方结构中的位错,其 b 总是等于点阵矢量.实际晶体中根据柏氏矢量的不同,可把位错分为以下几种形 式:(1) b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”. (2) b等于单位点阵矢量的整数倍的为“全位错” (3) b 不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错”

你所说的半位错应该是指不全位错.全位错是指柏氏矢量是单位点阵矢量的整数倍的位错,不全位错是指柏氏矢量不是单位点阵矢量的整数倍的位错.例如面心立方中,在{111}晶面族上,a/2〈110〉是全位错,而a/6〈112〉,a/3〈111〉就是不全位错.前者是肖克莱不全位错,后者是弗兰克不全位错.面角位错是指带有两个不全位错和两片层错构成的位错组态.又称压杆位错.具体的形成是两个在不同面上的扩展位错在两面的交线处由各自在前端的两个不全位错发生反应所产生的位错,是纯刃型位错,是固定位错.

热流量可以得到,选择这个面,再选择这个面上的节点,然后求heat即可.如:asel,,,,nsla,s,1 fsum 热流密度只能从这个面上的单元读取.asel,,,,nsla,s,1 esln,s etab,ht,heat ssum