位错的基本概念

前面这个几何必须位错不清楚,位错有三大类,点,线,面的,只有细晶强化导致的位错增加能使强度提高,还能使韧性提高,其它的比如固溶导致的位错只能使强度提高

位错又可称为差排,在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列.从几何角度看,位错属于一种线缺陷,可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线.其存在对材料的物理性能,尤其是力学性能,具有极大的

位错(英语:dislocation),在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷).从几何角度看,位错属于一种线缺陷,可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线,其存在对材料的物理性能,尤其

在通常的晶体中都存在大量的位错,而这些位错的量就用位错密度来表示.位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度.位错密度的另一个定义是:穿过单位截面积的位错线数目,单位也是1/平方厘米 .

位错强化是置换或间隙固溶的异质原子以点状障碍物的形式,通过阻止位错的运动而起强化作用.

呵呵,楼上的也是学材料的啊~~材料科学基础和金属学都会有专门章节讲位错的,晶体学和物理化学不见的会有另外,固体物理也有一小部分讲位错的总之和金属有关的课程必讲位错~~和电镜有关的课程也会涉及位错~~

1926年,弗兰克尔发现理论晶体模型刚性切变强度 与实测临界切应力的巨大差异(2~4个数量级). 1934年,泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时提出位错的概念. 1939年,柏格斯提出用柏氏矢量表征位错. 1947年,柯垂耳提出溶质原子与位错的交互作用. 1950年,弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制. 之后,用TEM直接观察到了晶体中的位错.

位错是晶体中的一种微观结构缺陷.在不同的金属材料中,很大程度上,位错的运动决定了金属力学性能.

材料在变形时位错互相缠结在一起的“动作”称为位错缠结;缠结在一起的位错会形成类似于墙的“状态”,这种位错存在的状态就是位错墙;当许多位错墙围城一个个独立的、无位错的区域时,就形成了一个个的位错胞.