您当前的位置: 扩展位错是一个缺陷体系,不是单纯的线缺陷和面缺陷.在fcc晶体中通过不同面上的位错扩展和在交线上的反应而生成面角位错.在hcp晶体中因为只有唯一的面,所以位错扩展的方式比较单纯.在bcc晶体中全位错分解的方式较多,在(112)面上都可以发生扩展.
d,线缺陷,线缺陷(一维缺陷):晶体内沿某一条线上附近的原子的排列与完整晶格不相同产生的缺陷.沿一平面,晶体的一部分相对于另一部分发生滑动,在滑移部分与未滑移部分的交界处,晶格容易发生错位,这种线缺陷称为位错.提交回答
位错又可称为差排,在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列.从几何角度看,位错属于一种线缺陷,可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线.其存在对材料的物理性能,尤其是力学性能,具有极大的
在20世纪初,人们为了探讨物质的变化和性质产生的原因,纷纷从微观角度来研究晶 或扭转一个角度,也会造成晶格畸变,缺陷会连续延伸到晶体表面.位错是半导体单
柏氏矢量可以表示晶体滑移的方向和大小.位错运动导致晶体滑移时,滑移量大小即柏氏矢量b,滑移方向即为柏氏矢量的方向..刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直,其正负可用右手法则确定, 先人为地规定位错线的方向,然后用右手食指表示位错线的方向,中指表示柏氏矢量的方向,当拇指向上是为正刃型位错,向下时为负刃型位错.
金属晶体中的面缺陷主要有两种:晶界和亚晶界.结构复杂,对于晶体的物理性能有着广泛的影响.晶体中相邻畴区间的交接往往不是任意的,通常只有那些点阵匹配度较好,具有特定形态及结构,因而界面能较低的面缺陷能够存在.人们通常
热力学原理告诉我们:系统总是向着能量降低的方向自发进行.这句话告诉我们:要想系统能够进行下去,前提是必须能量足够高,要想摔下来,必须站的足够高,趴在地上是摔不下来的.金属原子结构在堆垛时,没有严格的按照堆垛顺序,
位错宽度越宽,位错在运动过程中与现有位错发生交割,攀移等得可能性越大,位错越不易移动
按照大小和形态可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等. 1) 点缺陷:空位、间隙原子、固溶原子(置换固溶、间隙固溶); 2) 线缺陷:位错; 3) 面缺陷:晶界、相界、表面; 4) 体缺陷:第二相、夹杂物. 在钢铁材料中大量“制造”显微缺陷并使之合理分布,利用这些显微缺陷与位错或微裂纹的相互作用,可有效阻止材料中不可避免地存在的位错的运动或微裂纹的扩展,从而使材料强化,如位错强化、固溶强化、晶界强化、第二相强化等.