肖克利位错

层错与完整晶体边界就是肖克利位错,属于刃性位错,不能发生攀移.抽去半层密排面形成的是弗兰克不全位错,与抽出型层错联系的是不全位错通常称负弗兰克不全位错,而与插入型联系的是正弗兰克不全位错,是不可动位错.

形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错;肖克利不全位错是面心立方晶体沿着(111)晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是a层原子面,沿着1/6滑移到了原本是b层原子面所在的位置,就形成肖克利不全位错.

形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错;肖克利不全位错是面心立方晶体沿着(111)晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是A层原子面,沿着1/6滑移到了原本是B层原子面所在的位置,就形成肖克利不全位错.

热流量可以得到,选择这个面,再选择这个面上的节点,然后求heat即可.如:asel,,,,nsla,s,1 fsum 热流密度只能从这个面上的单元读取.asel,,,,nsla,s,1 esln,s etab,ht,heat ssum

密排面抽取一层将形成:肖克利不全位错,弗兰克说WMA比MP3先进的讲法是站不住脚的,其实他们的原理是一样的,在高比率的,

在实际晶体中,位错线不能一段段孤立地存在,不能终止在晶体内部,而只能终止在晶体自由表面或晶界这样的内表面上.在晶体内部,位错线一定是封闭的:或形成一位错环,或结成三维的位错网络.设有一晶体,EFGH是其中一晶面,该晶面上包含ABC0圆环,若将ABCD园环所包含的面积切开,使其上物分晶体沿箭头指向移动一原子距离b,再和下半部晶体结合起来.这样,在晶体中造成了一个ABC0环型位错,称为位错环

通常这种题目给出的都是FCC中的位错反应,我们首先要知道FCC中的几种位错 (1)全位错b=a/2<110> (2)肖克利不全b=a/6<112> (3)弗兰克不全b=a/3<111> 他们的滑移面都是{111},我们先要根据具体的伯氏矢量方向,计算出该位错的滑移

D,线缺陷,线缺陷(一维缺陷):晶体内沿某一条线上附近的原子的排列与完整晶格不相同产生的缺陷.沿一平面,晶体的一部分相对于另一部分发生滑动,在滑移部分与未滑移部分的交界处,晶格容易发生错位,这种线缺陷称为位错.提交回答

的人生有这么多的失败,没有失败就没有成功,因为失败是成功之母,那就恭喜你

您想问位错运动的点阵阻力与晶体结构的表达式?派纳力公式如下:a代表滑移面间距,b为位错柏氏矢量长度,μ为泊松比.派纳力决定于晶体滑移面和滑移方向,对于同种晶体,滑移面间距a增大则派纳力减小,a减小则派纳力增大,所以晶体的滑移面应该是滑移面间距a最大的面(此时阻力最小),即为最密排面;原子最密排方向上两个平衡原子间距离最小,滑移所需的能量最低,所以晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向.老师刚留了类似的问题,顺手回答一下,希望能够帮到您.