层错与不全位错的关系

不全位错和部分位错其实是一样的,是不同的叫法,打个比方说,不全位错和部分位错的关系,其实就是土豆和马铃薯之间的关系.

层错与完整晶体边界就是肖克利位错,属于刃性位错,不能发生攀移.抽去半层密排面形成的是弗兰克不全位错,与抽出型层错联系的是不全位错通常称负弗兰克不全位错,而与插入型联系的是正弗兰克不全位错,是不可动位错.

你所说的半位错应该是指不全位错.全位错是指柏氏矢量是单位点阵矢量的整数倍的位错,不全位错是指柏氏矢量不是单位点阵矢量的整数倍的位错.例如面心立方中,在{111}晶面族上,a/2〈110〉是全位错,而a/6〈112〉,a/3〈111〉就是不全位错.前者是肖克莱不全位错,后者是弗兰克不全位错.面角位错是指带有两个不全位错和两片层错构成的位错组态.又称压杆位错.具体的形成是两个在不同面上的扩展位错在两面的交线处由各自在前端的两个不全位错发生反应所产生的位错,是纯刃型位错,是固定位错.

热力学原理告诉我们:系统总是向着能量降低的方向自发进行.这句话告诉我们:要想系统能够进行下去,前提是必须能量足够高,要想摔下来,必须站的足够高,趴在地上是摔不下来的.金属原子结构在堆垛时,没有严格的按照堆垛顺序,

扩展位错是一个缺陷体系,不是单纯的线缺陷和面缺陷.在fcc晶体中通过不同面上的位错扩展和在交线上的反应而生成面角位错.在hcp晶体中因为只有唯一的面,所以位错扩展的方式比较单纯.在bcc晶体中全位错分解的方式较多,在(112)面上都可以发生扩展.

形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错;肖克利不全位错是面心立方晶体沿着(111)晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是A层原子面,沿着1/6滑移到了原本是B层原子面所在的位置,就形成肖克利不全位错.

层错在分为schokley型和frank型两种.对于前者,它是由一个schokley不全位错在密排面上的滑移导致的,如果在相邻的密排面上有另一个同样的schokley不全位错同方向滑移,就形成一个两层原子面的纳米孪晶,所以说schokley层错是只有一层原子面宽度的特殊孪晶;对于后者,有插入型和抽出型两种frank层错,由于它frank不全位错只能攀移而不能滑移,导致它相对固定,而一个frank插入型层错,在本质上也是一个有两层原子厚度的纳米孪晶.

大角度晶界能核心能占主要部分,和取向的关系不大,一般典型金属的大角度晶界在0.32J.m2 (Al)到0.87J.m2(Ni)之间,另外如果晶界有杂质原子的偏析,会造成一个奇异点,而表面能和接触的表张力有关,例如Al的表面能的实验值为1.143~1.

这里定义的晶体是理想晶体,晶胞及其内容(原子)是完全周期性排列的,并且晶体是无限大的.例如在晶胞的a方向上晶体内部有某一层晶胞发生单位平移(a矢量)或若干单位平移(n个a矢量),则平移后每个晶胞间的关系都与原来没有发生(实质性的)变化,仍是周期性排列.晶胞中每个原子周围的环境与原先未平移时完全相同(同种的原子不可分辨).如有不明欢迎追问.

层错能较高的金属和合金,其扩展位错区较窄,可通过束集而发生交滑移,因此在变形过程中通过位错的增殖和交互作用,容易出现明显的胞状结构.反之,层错能低的,在材料中易观察到位错塞积群的存在.同时,由于位错的移动性差,形变后大量的位错杂乱的排列于晶体中,构成较为均匀分布的复杂网络.