您当前的位置: 1.电路图如下: 2.伏安特性曲线如下:
不知道你的实验室怎么做的,一般说给二极管加正向电压
当PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将随之变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同.耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb当外加电压使PN结上压降发生变化时,空间电荷区的
电路元件中的伏安特性是指,将所加于电路中的电阻器、电容器、电感器等无源元件的电压,与电流的关系一一记录下来,电流为横坐标,电压为纵坐标. 和楼上说的差不多
第1章 半导体特性1.1 半导体的晶体结构1.2 半导体中的电子状态1.3 杂质和缺陷1.4 热平衡载流子1.5 非平衡载流子1.6 载流子的运动 实验一 晶体缺陷的观测 实验二 少数载流子寿命的测量 思考题与习题 第2章 PN结2.1 平衡PN结2.2 PN结的直流特
包括:实验目的、实验仪器、实验原理、实验步骤等 一, 实验目的: a. 用伏安法测量时的误差考虑.b. 学习半导体二极管的伏安特性. 二,实验仪器: 安培计,伏特计,变阻器(或电位器),直流电源,待测二极管(2AP型),开关等 三,
普通二极管正向导通电压约为0.5V,起始阶段UI图是曲线,为画图精确期间,所以要多测数据,多描点,后期基本是直线,就可少测几组数据.