求本征硅300k时的电阻率

1-分别在手册上查出本征硅和本征砷化镓,在300K时的“电子浓度”、“空穴浓度”、“电子迁移率”、“空穴迁移率”;2-再用公式:电阻率 = 1/(电荷电量x(电子浓度x电子迁移率 + 空穴浓度x空穴迁移率)),计算各自的电阻率,即可.(供参考)

试计算本征硅在室温时的电阻率.设电子和空穴迁移率分别为1350cm 2 /(Vs)和500cm 2 /(Vs),当掺入百万分一的砷(As)后,设杂质全部电离,试计算其电导率比本征Si的电导率增大多少倍? 悬赏:

[图文] 用本征硅材料制成的一个热敏电阻,在290K时的电阻值是500Ω.设硅的禁带宽度E q =1.12eV,且认为不随温度变化,若假设载流子迁移率不变,试估计在325K时热敏电阻的近似值. 悬赏: 0 答案豆 提

2.71

一定的电荷转移我们可以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算:ni(T)=AT3/2e-EG/2kT式中,EG电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV(电子伏),又被称为禁带宽度; T温度; A系数; k