晶体管类型:P沟道功率金属氧化物(半导体)场效应晶体管 漏极电流, Id最大值:-23A 电压, Vds最大:100V 开态电阻, Rds(on):0.117ohm 电压@ Rds测量:10V 晶体管类型:MOSFET 电压, Vds:100V 电压, Vds典型值:100V 电容值, Ciss典型值:1300pF 电流, Id连续:23A 电流, Idm脉冲:76A 表面安装器件:通孔安装 重复雪崩电流, Iar:11A
j449是P沟道的场效应管,参数=250V,6A,可用IRF9634代换..
都是二次电源开关管 IRF9634 P沟道 -250V -3.4A 33W IRF634 N沟道 250V 8.1A 75W
可用IRF9630代换,但要注意散热片的隔离问题..
IRF9540是一个P沟道增强型MOS管只要是电流3A以上耐压25V以上的P-MOS管就能代换CET台湾华瑞品牌CEP35P10或者CEP20P10可以替换
用J512 IRF9634 IRF9630 都可以
8N60顾名思义是8A600V的N沟道MOS场效应管.可用8N80,10N60,11N60等代换.
irf640是管子的型号,用它可以从网上查找出它的技术参数:200v,18a,125w.其他符号是生产厂家一些其他信息,与技术参数无关,也许有重大事故时能够据此追查它的出身?
谢谢!J512:-250V,-6A,30W.IRF9640:-200V,-11A,125W.试过吗?
500V,20A150W