您当前的位置: 在简单立方结构中的位错,其 b 总是等于点阵矢量.实际晶体中根据柏氏矢量的不同,可把位错分为以下几种形 式:(1) b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”. (2) b等于单位点阵矢量的整数倍的为“全位错” (3) b 不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错”
层错与完整晶体边界就是肖克利位错,属于刃性位错,不能发生攀移.抽去半层密排面形成的是弗兰克不全位错,与抽出型层错联系的是不全位错通常称负弗兰克不全位错,而与插入型联系的是正弗兰克不全位错,是不可动位错.
不全位错和部分位错其实是一样的,是不同的叫法,打个比方说,不全位错和部分位错的关系,其实就是土豆和马铃薯之间的关系.
形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错;肖克利不全位错是面心立方晶体沿着(111)晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是a层原子面,沿着1/6滑移到了原本是b层原子面所在的位置,就形成肖克利不全位错.
[图文] 若面心立方晶体中有 的单位位错及 的不全位错,此二位错相遇产生位错反应.1)问此反应能否进行 2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的类型. 悬赏: 0 答案豆 提问人: 匿名网友 您可能
你所说的半位错应该是指不全位错.全位错是指柏氏矢量是单位点阵矢量的整数倍的位错,不全位错是指柏氏矢量不是单位点阵矢量的整数倍的位错.例如面心立方中,在{111}晶面族上,a/2〈110〉是全位错,而a/6〈112〉,a/3〈111〉就是不全位错.前者是肖克莱不全位错,后者是弗兰克不全位错.面角位错是指带有两个不全位错和两片层错构成的位错组态.又称压杆位错.具体的形成是两个在不同面上的扩展位错在两面的交线处由各自在前端的两个不全位错发生反应所产生的位错,是纯刃型位错,是固定位错.希望采纳,谢谢!
柏氏矢量与位错线垂直是(刃)位错
扩展位错是一个缺陷体系,不是单纯的线缺陷和面缺陷.在fcc晶体中通过不同面上的位错扩展和在交线上的反应而生成面角位错.在hcp晶体中因为只有唯一的面,所以位错扩展的方式比较单纯.在bcc晶体中全位错分解的方式较多,在(112)面上都可以发生扩展.
位错是材料中的一种点缺陷有刃位错和螺位错.
D,线缺陷,线缺陷(一维缺陷):晶体内沿某一条线上附近的原子的排列与完整晶格不相同产生的缺陷.沿一平面,晶体的一部分相对于另一部分发生滑动,在滑移部分与未滑移部分的交界处,晶格容易发生错位,这种线缺陷称为位错.提交回答